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公司    相关研究成果以VerticalMoS2 transistorswithsub-1-nmgatelengths为题发表在Nature上。二、打大约【成果掠影】     今日，打大约清华大学任天令教授和田禾副教授（共同通讯作者）等人使用石墨烯层的边缘作为栅极，演示了具有原子级薄沟道和物理栅极长度低于1nm的侧壁MoS2晶体管。

CVD石墨烯薄膜具有高导电性，制造可以最大限度地减少沿栅极层的电压降。近年来，平方涵盖从半金属、半导体到绝缘体的广泛使用的导电性二维材料，在下一代电子器件中引起了极大的关注。家用3印机座这项工作促进了一种将栅极长度缩小到1nm以下的晶圆级生产方法的发展。

公司材料人投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。文献链接：打大约VerticalMoS2 transistorswithsub-1-nmgatelengths（Nature，2022，DOI：10.1038/s41586-021-04323-3）本文由材料人CYM编译供稿。

尽管如此，制造这项工作对晶体管缩放至其物理极限提供了新的见解，并揭示了突破摩尔定律，实现1nm以下晶体管的巨大潜力。

0.34nm栅极长度的侧壁晶体管显示出良好的开关特性，平方开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117mVdec-1。家用3印机座相关文章：催化想发好文章？常见催化机理研究方法了解一下。

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